技术编号:7255028
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。一示例器件可以包括在衬底上形成的鳍状结构;在衬底上形成的隔离层,该隔离层露出鳍状结构的一部分,鳍状结构的露出部分用作该半导体器件的鳍;以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠,其中,仅在鳍与栅堆叠相交的部分下方的区域中形成有穿通阻挡部。专利说明[0001]本公开涉及半导体领域,更具体地,涉及一种。背景技术[0002]随着平面型半导体器件的尺寸越来越小,短沟道效应愈加明显。为此,提出了立体型半导体器件如FinFET (鳍式场效应晶体管)。一般而...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。