技术编号:7255175
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,包括提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构;在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽;依次执行一湿法清洗过程、一蚀刻后处理过程和一表面清洗过程,所述蚀刻后处理过程包括先后执行的高温热退火过程和氢气还原处理过程;蚀刻所述碗状凹槽,以形成∑状凹槽。根据本发明,所述高温退火工艺可以改善所述碗状凹槽的表面粗糙度,所述氢气还原处理工艺可以消除蚀刻气体中的氧或氮对所述碗状凹槽的表面造成的掺杂污染,从而改善后续湿法蚀刻所述碗状凹槽的工艺窗口。专利说...
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