技术编号:7255185
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种MOSFET的BTO结构制造工艺方法,包括步骤1、在N型外延层上沉积一层ONO结构的硬掩膜板,并用干法刻蚀将硬掩膜板开口;步骤2、进行沟槽刻蚀,并在沟槽表面生长一层热氧化层,再在硅片表面整体沉积一层氮化硅层;步骤3、在所述沟槽中开始沉积多晶硅,接着做对晶硅采用回刻工艺,使所述沟槽底部的多晶硅的厚度为所需要的厚度;步骤4、对所述沟槽底部的多晶硅进行氧化,使其转变为氧化物;步骤5、用湿法刻蚀方式去掉所述氮化硅层,硬掩膜板及沟道中裸露在外的所述热...
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