技术编号:7255204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括在晶圆表面生长缓冲氧化层;在缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层;光刻定义出场区并蚀刻,去除场区上的氮化硅;对场区进行离子注入;生长场氧化层;剥除氮化硅层;对晶圆进行湿浸,去除缓冲氧化层和部分的场氧化层;重新在晶圆表面生长缓冲氧化层及在重新生长的缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层;光刻定义出漂移区并蚀刻,去除所述漂移区上的氮化硅;对漂移区进行离子注入;生长漂移区氧化层。本发明在生长场氧化层完成后剥除氮化硅层,这时可以通过调整wet?dip的...
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