技术编号：7255249
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文提供了用于形成黑电平校正(BLC)结构的一种或多种技术。在一些实施例中，BLC结构包括第一区域、位于至少一部分第一区域之上的第二区域以及位于至少一部分第二区域之上的第三区域。例如，第一区域包括硅，以及第三区域包括钝化电介质。在一些实施例中，第二区域包括第一子区域、位于第一子区域之上的第二子区域以及位于第二子区域之上的第三子区域。例如，第一子区域包括金属硅化物，第二子区域包括金属以及第三子区域包括金属氧化物。例如，以此方式提供了BLC结构，使得BLC结构...
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