技术编号:7255380
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于液晶显示器和有机EL显示器等的显示装置的薄膜晶体管的半导体层用氧化物和用于成膜上述氧化物的溅射靶以及薄膜晶体管。背景技术非晶(非晶质)氧化物半导体,与通用的非晶硅(a-Si)相比,因为具有高载流子迁移率,光学带隙大,能够以低温成膜,所以期待其面向要求大型/高分辨率/高速驱动的 划时代显示器和耐热性低的树脂基板等的应用。作为氧化物半导体的例子,例如可列举含In的非晶质氧化物半导体(In-Ga-Zn-0, In-Zn-O等),但使用作为稀有金属的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。