技术编号:7255442
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,并且更具体地,涉及能够在设定阈值电压时实现提高的灵活性,同时实现抑制沟道迁移率降低的半导体器件。背景技术近年来,为了实现更高击穿电压、低损耗并且为了能在高温度环境等下使用半导体器件,已经越来越多地使用碳化硅作为用于半导体器件的材料。碳化硅是一种具有比硅的带隙宽的带隙的宽带隙半导体,硅已是传统地和广泛地用作用于半导体器件的材料。因此,通过采用碳化硅作为半导体器件的材料,可以实现半导体器件的更高的击穿电压、减小的导通电阻等。由碳化硅制成的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。