技术编号:7255483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种。一种石墨烯器件的制造方法,基于侧墙的双重图形化的工艺,利用传统晶体管中制作侧墙的工艺制作硬掩膜图形,具有工艺简单、线条宽度窄、边缘平滑、与CMOS工艺兼容等优点。同时,利用先进的淀积技术,可以将石墨烯制作成宽度10nm甚至5nm以下的边缘平滑的石墨烯纳米带,以产生足够的能隙以使石墨烯器件在室温下有足够的开关比。专利说明[0001]本发明涉及领域,特别地,涉及一种基于侧墙双重图形化的石墨烯纳米带器件的制造方法。背景技术[0002]自第一个晶...
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