技术编号:7255529
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的接触结构。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括衬底,包括主面和主面下方的沟槽;填充沟槽的应变材料,应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数;层间介电层(ILD),具有位于应变材料上方的开口,开口包括介电侧壁和应变材料底部;半导体层,位于开口的侧壁和底部上;介电层,位于半导体层上方;以及填充介电层开口的金属层。专利说明半导体器件的接触结构[0001]本发明涉及集成电路制造,更具体地,涉及具有接触结构的半导体器件。背景技术[0002...
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