技术编号：7255566
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过外延形成高压IGBT的FS层的方法，其中的FS层外延形成工艺方法如下提供包括N型漂移区的高压IGBT生产专用厚度的半导体圆片（1）；在所述半导体圆片的正面淀积一定厚度的保护层(2)，以保护背面外延工艺作业时半导体圆片（1）的正面；将所述半导体圆片翻转，背面向上，外延所需厚度的N+外延层，该N+外延层即所述FS结构，该N+外延层（3）的掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度；在外延结束后，将所述半导体圆片（1）翻转为正面向上，去除正面的所述保护层...
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