技术编号:7255579
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法,其包括如下步骤A、将与熔丝结构配合的量测模块放置在划片槽中。B、通过所述量测模块测量熔丝结构两侧氧化层的原始厚度。C、根据钝化层需要残留的氧化层厚度和所述原始厚度,计算所需刻蚀的氧化层的量。D、根据刻蚀机的刻蚀速度,确定刻蚀时间。E、根据所述刻蚀时间确定刻蚀制程,完成熔丝结构两侧氧化层的刻蚀。本发明能够精确控制熔丝结构两侧刻蚀的氧化层的量,避免熔丝熔断失败现象的发生,而且刻蚀效率高,耗时短,成本低。专利说明一种刻...
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