技术编号：7255608
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括单元区域和边缘区域的超结半导体器件。一种超结半导体器件可以包括单元区域中的一个或更多个掺杂区。漂移层提供在第一导电类型的掺杂层和一个或更多个掺杂区之间。漂移层包括第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域，第二导电类型与第一导电类型相反。在围绕单元区域的边缘区域中，第一区域可以包括在第一方向上分离第二区域的第一部分以及在与第一方向正交的第二方向上分离第二区域的第二部分。第一和第二部分被布置为使得边缘区域中的最长的第二区域至多是与该最长的第...
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