技术编号：7255664
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开二极管选择元件阵列结构的相变化存储器制造方法，在二极管选择元件阵列结构的基础上，对应第二P型扩散层位置的钨插塞上及N阱的接触点电极上形成金属层；浅隔离槽的绝缘层上依次形成缓冲层、介质层、低温氮化物及绝缘层；位于N型扩散层之上的钨插塞上形成相变化存储器材料，相变化存储器材料上形成金属层，从而形成二极管选择元件阵列结构的相变化存储器。该制造方法工艺简单，对衬底表面要求较低，节约制造成本；由该方法形成二极管选择元件阵列结构的相变化存储器，成本较低，且品...
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