技术编号:7255820
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。公开了一种,该半导体器件包括半导体衬底;半导体衬底中的背栅隔离结构;以及背栅隔离结构上的相邻的场效应晶体管,其中,所述相邻的场效应晶体管中的每一个包括位于背栅隔离结构上的夹层结构,该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质,其中,背栅隔离结构作为所述相邻的场效应晶体管的背栅导体的导电路径的一部分,并且,在所述相邻的场效应晶体管的背栅导体之间形成PNP结或NPN结。该半导体器件由于采用背栅隔离结...
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