技术编号：7256039
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种GaN基发光二极管芯片，包括由下而上设置的n型GaN层、量子阱层、p型GaN层和透明导电层；在所述透明导电层和n型GaN层上分别设置有金属电极；在所述p型GaN层上、且与金属电极相对的位置设置有等离子体轰击区域。本发明还涉及一种上述GaN基发光二极管芯片的制备方法。本发明所述GaN基发光二极管芯片，通过选择性的对p型金属电极下方对应的p型GaN层表面上进行等离子体轰击形成等离子体轰击区域，使该区域p型GaN层与上面的ITO透明导电膜之间无法形...
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