技术编号:7256049
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,所述晶体管重叠电容的测试方法包括提供第一测试结构,所述第一测试结构包括在第一半导体衬底上形成的第一晶体管和第一连接结构,第一晶体管的第一源区和第一漏区内具有位于第一栅极的下方的第一重叠区,所述第一连接结构位于第一源区和第一漏区表面;测试获取第一栅极和第一连接结构之间的第一电容;提供第二测试结构,所述第二测试结构包括在第二半导体衬底上形成的第二晶体管和第二连接结构,并且所述第二栅极一侧的第二源区或第二漏区内具有位于第二栅极下方的第二重叠区,第二连接结构...
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