技术编号:7256116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,所述方法包括在半导体衬底上依次形成低k介电层和第一低k介电硬掩膜层;在所述第一低k介电硬掩膜层上形成金属硬掩膜层;图案化所述金属硬掩膜层和所述第一低k介电硬掩膜层以形成开口;执行紫外光固化处理,以扩大所述第一低k介电硬掩膜层的开口尺寸;刻蚀处理所述低k介电层以形成沟槽结构;移除所述金属掩膜层;在所述沟槽结构中沉积形成铜金属层。根据本发明的制造工艺可以有效避免在顶部沉积的铜晶种层影响采用电化学电镀方法对沟槽结构进行的铜填充。专利说明[0001]...
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