技术编号：7256236
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，所述多晶硅电阻结构包括基底，位于所述基底上的具有电阻负温度系数的多晶硅电阻，与所述多晶硅电阻两端电连接的金属电极，位于所述多晶硅电阻中间位置表面的具有电阻正温度系数的金属散热结构，且所述金属散热结构与金属电极相隔离，使得温度变化时所述多晶硅电阻结构的总阻值变化幅度降低。由于多晶硅电阻产生的热量可以通过金属散热结构进行散热，有利于降低多晶硅电阻结构工作时温度的变化幅度，从而降低多晶硅电阻结构的总阻值随温度变化的变化值。且所述具有电阻正温度系数的金属互连...
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