技术编号:7256374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管的制作方法,该方法在外延生长后,溅射粘附层前,进行步骤1)在外延层上刻蚀沟槽和外围终端区域;2)生长二氧化硅层;3)淀积多晶硅,填满沟槽;4)回刻多晶硅,仅保留沟槽内部和外围终端区域侧壁的多晶硅;5)淀积二氧化硅介质层;6)除去沟槽上方多余的二氧化硅,仅外围终端区域保留一层二氧化硅介质层。本发明还公开了用上述方法制作的肖特基二极管的结构。本发明利用CMP工艺,实现了两层光罩的沟槽型肖特基二极管,不仅降低了生产成本,还提高了...
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