技术编号：7256501
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种光电转换装置。背景技术作为光电转换装置，已知具有由CIGS等的黄铜矿系I-III-VI族化合物半导体形成的光吸收层的光电转换装置。在日本特开2000-156517号公报中，公开了ー种在形成于基板上的电极上设置了由Cu (In，Ga) Se2等化合物半导体薄膜构成的光吸收层的例子。在该光吸收层上，设置有由CdS构成的缓冲层和由ITO构成的透明导电膜。在这种光电转换装置中，有时会产生黄铜矿结构的一部分成为空洞的缺陷部分。从产生了上述缺陷部分的光吸...
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