技术编号:7256680
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种太阳能电池硅片背面抛光及边缘刻蚀方法,包括以下步骤A、腐蚀掩膜保护层;B、腐蚀扩散层及抛光;C、清洗。本发明与现有技术相比的优点是本发明采用掩膜保护扩散面,浸入式腐蚀,保证了良好的边缘刻蚀效果。保护层利用扩散自然形成的磷硅玻璃(或硼硅玻璃),无需额外增加掩膜制备工艺,不增加任何成本。同步实现背面化学抛光效果,使太阳电池片效率得到可观提升,背面抛光工艺结合背面钝化技术,前景广阔。对设备机械精度容忍度很高,节约了设备制造成本,同时工艺稳定,容易...
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