技术编号：7256806
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，所述硅通孔的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；刻蚀所述半导体衬底第一表面，在所述半导体衬底内形成第一开口，并在所述第一开口周围的半导体衬底内形成若干分离的第二开口，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸；在所述半导体衬底第一表面沉积介质层，所述介质层将所述第二开口密闭，在所述第二开口内形成空气隙，所述介质层覆盖所述第一开口的底部和侧壁；在所述介质层上沉积金属层，所述金属层填充满所述第一开口；从所述...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。