技术编号：7256850
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，包括步骤如下（1）利用现有的光刻工艺对反极性AlGaInP基LED的mesa图形外延片进行曝光与显影，在所述mesa图形外延片四周形成定周期性边缘图形；（2）利用所述含饱和Br2去离子水对步骤（1）显影完成的所述mesa图形外延片进行腐蚀；（3）对步骤（2）腐蚀后的mesa图形外延片按照常规工艺进行清洗、去胶处理，形成与所述周期性边缘图形形状对应的粗化侧壁。本发明首次提出利用光刻技术实现LED芯片的侧壁粗化，与现有技术相比本发明极大的提升了LE...
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