技术编号:7256880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了多栅极FET及其形成方法。一种方法包括氧化半导体鳍以在该半导体鳍的相对侧壁上形成氧化物层。该半导体鳍位于隔离区的顶面上方。在氧化之后,实施倾斜注入以将杂质注入半导体鳍。在倾斜注入之后去除氧化物层。专利说明多栅极FET及其形成方法[0001]本发明涉及半导体制造,具体而言,涉及多栅极FET及其形成方法。背景技术[0002]随着集成电路不断按比例缩小以及对集成电路速度的要求不断提高,晶体管需要具有更高的驱动电流和不断减小的尺寸。因此开发了鳍式场效应...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。