技术编号：7256936
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种薄膜晶体管，包括栅极、介电层、金属氧化物半导体通道、源极以及漏极。栅极与金属氧化物半导体通道重叠。介电层阻隔栅极、源极以及漏极。源极以及漏极分别位于金属氧化物半导体通道的相对两侧。金属氧化物半导体通道包括金属氧化物半导体层以及配置于金属氧化物半导体层中且彼此分离的多个纳米微结构。此外，上述薄膜晶体管的显示面板及其制造方法也被提出。专利说明[0001]本发明涉及一种电子元件及其制造方法和包括此电子元件的电子装置，特别是涉及一种薄膜晶体管及其...
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