技术编号：7256963
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，包括下列步骤在衬底上形成氧化层；在所述氧化层上沉积多晶硅；对所述多晶硅进行光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极；对所述多晶硅栅极的侧壁进行热氧化，在所述侧壁上生长氧化硅；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，将位于源极和漏极上的部分所述氧化层进行减薄。本发明能够保证高压器件栅氧化层厚度的均匀性，大大改善了栅氧化层的横向均匀度，使高压器件工作更加稳定。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及一种半导体器件栅氧化层的形成 方法。 ...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。