技术编号:7256967
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,该器件至少包括第一导电类型衬底;所述第一导电类型衬底中离子注入有第二导电类型的第一深阱区;所述第一深阱区上离子注入有第二导电类型的第二深阱区,其中,所述第二深阱区的掺杂浓度大于第一深阱区的掺杂浓度;所述第二深阱区上离子注入有第一导电类型的中压阱区。本发明通过在第二导电类型的第一深阱区和第一导电类型的中压阱区之间设置第二导电类型的第二深阱区,该高浓度的第二深阱区用来隔离低浓度的第一深阱区,抑制了中压阱区/第一深阱区/衬底形成的纵向晶体管的寄生效应...
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