技术编号:7256968
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种,至少包括以下步骤提供一晶片,将所述晶片置于反应腔内;先在所述晶片上喷洒O3的水溶液以去除所述晶片上的有机杂质并在所述晶片上形成氧化层;然后在所述晶片上喷洒稀释的氢氟酸以溶解所述氧化层并去除所述晶片上的杂质颗粒;接着在所述晶片上喷洒O3的水溶液以在所述晶片上再次形成氧化层;最后在所述晶片上喷洒SC1溶液以进一步去除所述晶片上的杂质颗粒。本发明的能够大幅提高晶片的清洁度,有利于产品良率的提升,并显著降低晶片清洗成本。专利说明 [0001]...
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