技术编号:7256972
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,其中,所述掩膜层的形成方法包括提供衬底;在所述衬底表面形成低温氧化物层,所述低温氧化物层表面粗糙并且吸附有形成所述低温氧化物层的反应气体;对所述低温氧化物层进行处理,驱除所述反应气体;在所述低温氧化物层表面形成光刻胶层。所述掩膜层的形成方法,可以提高所述掩膜图形的准确度,提高采用所述掩膜层为掩膜形成的互连结构的连接性能。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体,特别涉及一种掩膜层的形成方法、互连结构的形成 方法和检测方法。 背景技术 [00...
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