技术编号：7257097
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种LED芯片及其制备方法。在C面蓝宝石衬底(310)上依次逐层沉积GaN缓冲层(320、330)、N型电极(340)、反射层(350)、N型GaN(360)、电子隧穿层(370)、有源层(380)、P型GaN(390)、P型电极(400)，根据以上工艺可制备常规LED芯片，本发明在常规LED外延片上制作一个无光刻的随机SiO2掩膜，通过控制MOCVD生长条件，二次外延可以形成可控制尺度和密度的折射率为n宽带隙的微型小丘(410)，此粗糙表面破...
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