技术编号:7257107
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种CMOS器件的制造方法,包括形成浅沟槽场氧,阱区。依次生长栅氧化层、多晶硅层并对多晶硅层进行N型和P型离子注入,光刻刻蚀形成栅极;栅极包括相接触的第一栅极和第二栅极。形成源漏区。形成层间膜;光刻刻蚀形成长条形接触孔,长条形接触孔跨过第一栅极和第二栅极的接触界面实现和第一栅极和第二栅极同时接触。本发明能省略采用金属硅化物实现NMOS和PMOS器件的栅极互联的步骤,从而能减少接触孔和栅极之间的寄生电阻和电容、提供器件的速度,能消除PMOS器件的...
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