技术编号：7257166
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种，包括(A)提供一硅衬底；(B)进行一掺杂处理，使该硅衬底具有一PN结；(C)去除该硅衬底表面含杂质原子的氧化硅层；以及(D)以一含臭氧的气体干燥该硅衬底并钝化该硅衬底的表面。专利说明 [0001] 本发明是关于一种，尤指一种利用臭氧进行表面钝化处理的 。 背景技术 [0002] 电势诱发衰减（Potential Induced Degradation,PID)为太阳能电池元件长期于 高温及高湿环境下，在高电压作用下使得玻璃、封...
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