技术编号:7257632
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括不连续的半导体部分的微电子装置,并且更具体地说,涉及一种包括一个或多个晶体管的微电子装置,这些晶体管通过这种不连续的半导体部分形成作为有源区。本发明尤其适合于薄膜晶体管(TFT)领域,尤其是有机薄膜晶体管(0FET或OTFT)ο背景技术薄膜装置(如,包括例如基于有机材料的薄半导体层的薄膜晶体管)的制造意味着形成这种半导体层,从而,然后可以制作形成电源极接触和漏极触点的电极,而且,使得所 获得的晶体管具有较小的电流Itjff (对应于Ves...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。