技术编号:7257688
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,包括提供具有第一区和第二区的半导体衬底,在半导体衬底上形成包括自下而上依次层叠的高k介电层、高k介电层的保护层和牺牲栅电极层的伪栅极结构;去除位于第二区上的牺牲栅电极层;在第二区上形成的沟槽中形成牺牲材料层;去除位于第一区上的牺牲栅电极层;在第一区上形成第一金属栅极结构;去除牺牲材料层,并在第二区上形成第二金属栅极结构,其中,第一区为NFET区,第二区为PFET区;或者第一区为PFET区,第二区为NFET区。根据本发明,可以使在半导体衬底中的N...
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