技术编号：7257708
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，包含下列步骤。提供一衬底。在该衬底中形成一通孔，此通孔有至少为lμm的直径及至少为5μm的深度。利用第一蚀刻/沈积比来进行第一化学气相沈积处理，以在该通孔的底部与侧壁上以及该衬底的上表面上形成一介电层。利用第二蚀刻/沈积比来进行一形状修正处理，以改变该介电层的轮廓。重复该第一化学气相沈积处理与该形状修正处理至少一次，直到该介电层的厚度达到一预定值。专利说明 [0001] 本发明涉及一种。 背景技术 [0002] 为了节省宝贵的布局...
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