技术编号:7257745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有硅穿孔半导体装置,包含基板,具有前侧与背侧;及硅穿孔,贯穿该基板且在该前侧具有圆形且在该背侧具有圆角化的矩形。专利说明 [0001] 本发明涉及一种。 背景技术 [0002] 为了节省宝贵的布局空间或是增加内联机的效率,可将多个集成电路(1C)芯片 堆栈在一起成为一个1C封装结构。为了达到此目的,可使用一种三维(3D)堆栈封装技 术来将复数集成电路芯片封装在一起。此种三维(3D)堆栈封装技术广泛地使用到硅穿孔 (TSV)。硅穿孔...
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