技术编号:7257761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有第一介质层;刻蚀所述第一介质层,形成暴露出所述半导体衬底的第一开口;在所述第一开口内形成外延层,所述外延层填充满所述第一开口,所述外延层的载流子迁移率大于所述半导体衬底的载流子迁移率,所述外延层具有两端区域和中间区域,所述外延层两端区域的晶格缺陷多于中间区域的晶格缺陷;去除所述外延层的两端区域,形成第二开口,剩余外延层的中间区域构成半导体鳍部;在所述第二开口内形成第二介质层,所述第二介质层填充满所述第二开口。...
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