技术编号:7258054
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种静电释放保护电路版图,在硅衬底上布置金属氧化物半导体MOS管,所述MOS管的漏端靠近衬底,布置于该MOS管的外侧;而源端布置于该MOS管的内侧;所述漏端到衬底形成寄生二极管。本申请还公开了一种集成电路。本申请提供的静电释放保护电路无需SAB和ESD植入,可以将源端和漏端的面积做的比较小,并且使得寄生电容变小,电路的反应速度变快。专利说明-种静电释放保护电路版图及集成电路 [0001] 本申请涉及半导体集成电路,尤其涉及一种静电释放(E...
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