技术编号:7258116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括第一导电类型半导体层;第二导电类型半导体层;以及有源层,置于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间。该第二导电类型半导体层包括电子阻挡区域,布置为靠近有源层且具有图案,该图案具有彼此隔开的多个元件。本发明的发光器件通过使用EBL阻挡电子溢出并提高空穴注入效率,从而提高其内部量子效能。专利说明发光器件[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2012年8月6日在韩国提交的第10-2012-008556...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。