技术编号:7258154
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种。包括提供半导体衬底和形成第一绝缘层;形成两两相邻成对的栅极叠层,并在所述栅极叠层的侧面覆盖栅极侧墙;沉积第一高压栅氧化层;刻蚀去除部分第一高压栅氧化层;覆盖第二高压栅氧化层;刻蚀去除部分的第二高压栅氧化层和部分第一高压栅氧化层;采用快速热退火或现场水汽生成退火进行膜层修复处理工艺。本发明通过经过多道步骤在形成浮置栅极和字线之间的间隙氧化层之后,采用快速热退火或现场水汽生成退火对间隙氧化层中的第一高压栅氧化层进行膜层修复处理工艺,从而减少第...
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