技术编号:7258260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种GaN基HEMT器件,涉及半导体器件。该GaN基HEMT器件包括衬底,形成于所述衬底上方的沟道层,形成于所述沟道层上方的势垒层,形成于所述势垒层上方的源极、漏极、至少一层绝缘介质层,以及形成于所述至少一层绝缘介质层上方的栅极,能够降低器件的栅泄漏电流,以及不影响其微波特性。专利说明—种GaN基HEMT器件 [0001]本发明涉及半导体器件,尤其涉及一种GaN基HEMT器件。 背景技术 [0002]GaN(氮化嫁)基 HEMT (H...
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