技术编号:7258295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体功率器件的结构,包括以下特征有源区的单元包含有至少一个深沟槽,至少一个浅沟槽,P型基区,N型区,N型基区,N+发射区,接触孔,层间介质,表面金属和钝化层等,在深沟槽底部至少有一掺杂区,在正向导通时,深沟槽底部的掺杂区能帮助增加表面载流子浓度,从而改善正向压降,又不增加关断时间。专利说明一种半导体功率器件的结构 [0001]本发明涉及一种半导体功率器件,具体的说,涉及一种沟槽式功率场效应晶体管IGBT器件的结构。 背景技术 [...
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