技术编号:7258351
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,涉及半导体。该方法包括步骤S101、提供包括I/O区和核心区的半导体衬底,形成位于I/O区的栅氧化层和位于栅氧化层之上的保护层;步骤S102、形成位于核心区的伪界面层;步骤S103、在保护层和伪界面层之上分别形成包括伪栅极的伪栅极结构,并在伪栅极结构之间形成层间介电层;步骤S104、去除所述伪栅极;步骤S105、去除伪界面层位于核心区的栅极区域的部分;步骤S106、去除保护层位于I/O区的栅极区域的部分。该方法通过在I/O区的栅氧化层上方形成保...
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