技术编号：7258364
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种形成后道工序金属互连层的方法。通过在半导体衬底上沉积一个或多个自组装单层以限定金属互连层区域来实施该方法。在金属互连层区域内的半导体衬底上形成具有多个金属结构的金属互连层。然后，在多个金属结构之间的区域中的半导体衬底的表面上形成层间介电层。本发明还公开了后道工序互连方案。专利说明后道工序(BEOL)互连方案[0001]本发明涉及半导体，更具体地，涉及后道工序互连方案。背景技术[0002]现代集成芯片包含成百万个半导体器件。通过形成在集成芯片...
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