技术编号:7258390
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管芯片,其包括N型半导体层;活性层,其设置在该N型半导体层上;P型半导体层,其设置在该活性层上;透明导电层,其设置在该P型半导体层的远离该活性层的表面上,该透明导电层为铟锡氧化物薄膜;N型电极,其连接该N型半导体层;P型电极,其设置在该透明导电层上;以及保护层,其覆盖透明导电层,该保护层包括氮化硅材料。专利说明发光二极管芯片 [0001]本发明涉及一种半导体结构,尤其涉及一种发光二极管芯片。 背景技术 [0002]一般的发光...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。