技术编号:7258414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种修复介质K值的方法,至少包括以下步骤1)提供一基板,在所述基板上形成介质层;2)在所述介质层中刻蚀出若干凹槽,并进行清洗去除刻蚀残留物;3)采用微波照射刻蚀后的介质层。本发明的修复介质K值的方法利用水对微波的强烈吸收性能来去除介质层中的水汽,从而修复介质层的K值;并利用介质层的能隙远大于微波的光子能量,不会吸收微波,避免了介质层损坏的问题。专利说明修复介质K值的方法 [0001]本发明属于半导体制造领域,涉及一种介质层的处理方法,特别是...
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