技术编号:7258483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。该制造方法引进准单晶硅作为太阳能电池片的基材,在传统单晶、多晶硅太阳能电池片制造方法的基础上,通过提高硅片的腐蚀量,使得制绒处理后的硅片的表面反射率由26%降至21%;通过调整扩散工序,使得扩散处理后硅片的方块电阻提高至75Ω/□以上;另外,在重掺杂扩散之后再借助激光实现硅片边缘部分PN结的隔离,简化了硅片的定位过程,提高产品的生产效率;与此同时,配合设计的新型电极栅线既降低了正银浆料的印刷耗费量,又降低了电池片的遮光面积,提高了开路电压和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。