技术编号:7258621
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种。其中,一种高电压晶体管结构包括形成在衬底的第一阱中的第一双扩散区和第二双扩散区,其中第一双扩散区和第二双扩散区具有与衬底相同的导电性,形成在第一双扩散区中的第一漏极/源极区,形成在第一阱上方的第一栅电极,和形成在第二双扩散区中的第二漏极/源极区。高电压晶体管结构进一步包括形成在第一栅电极的第一侧上的第一间隔件,其中第一间隔件位于第一漏极/源极区和第一栅电极之间,形成在第一栅电极的第二侧上的第二间隔件,以及形成在第二漏极/源极区和第二间隔件...
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