形成通孔结构、制造图像传感器和集成电路器件的方法技术资料下载

技术编号:7258896

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本发明公开了。提供了制造包括通孔结构的集成电路器件的方法。该方法可以包括形成穿过衬底的隔离槽以形成由隔离槽围绕的内部衬底;以及在隔离槽中以及在衬底的表面上形成绝缘层。该方法还可以包括形成孔,该孔与隔离槽间隔开并穿过绝缘层的形成于衬底的表面上的部分和内部衬底;以及在孔中和在形成于衬底的表面上的绝缘层上形成导电层。该方法可以用于制造图像传感器。专利说明[0001]本公开总地涉及电子学领域,更具体地,涉及半导体器件。背景技术[0002]三维封装技术(包括娃通孔(...
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