技术编号：7258982
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，包括衬底、衬底上的栅极堆叠、栅极堆叠两侧的源漏区以及源漏区上的接触金属层，其特征在于接触金属层通过栅极堆叠自动隔离。依照本发明的，通过栅极侧面的隔离结构自对准控制了源漏接触的形貌，有效降低了源漏接触电阻，并同时提高了器件可靠性。专利说明 [0001] 本发明涉及一种，特别是涉及一种具有全自对准接触结 构的三维多栅FinFET及其制造方法。 背景技术 [0002] 在当前的亚20nm技术中，三维多栅器件（FinFET或Tri-ga...
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